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J-GLOBAL ID:201702228520755985   整理番号:17A1811133

交互蒸着による,高い硫黄含有量の正方晶FeSe-FeS合金膜の生成

Fabrication of tetragonal FeSe-FeS alloy films with high sulfur contents by alternate deposition
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巻: 56  号: 10  ページ: 100308.1-100308.3  発行年: 2017年10月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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パルスレーザ蒸着法による,正方晶FeS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>膜(x<=0.78)の合成について報告する。正方晶FeSeと六方晶FeSとのターゲットを用いて正方晶合金膜を作製するために,MgO(001)上のFeSeバッファ層を用いて交互蒸着法を適用した。膜全体の組成は,FeS/FeSe層の膜厚比によって制御した。薄膜の面外の格子パラメータはVegard則に従い,相互拡散による均一な合金化を示している。FeS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>膜における硫黄の固相溶解度はx=0.78に達し,正方晶相不安定化により決まるバルクにおけるx~0.40よりはるかに高い。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 
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