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J-GLOBAL ID：201702228697108663   整理番号：17A1637479

Si基板上のDモードAlGaN/GaN MIS-HEMTにおけるOleron劣化のバイアス及び温度-依存性trapping/deトラッピング【Powered by NICT】

Bias- and temperature-assisted trapping/de-trapping of ron degradation in D-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs on a Si substrate

著者 (7件)： Zhang Jin-Ming (Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Taiwan) ,  Hsieh Ting-En (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Taiwan) ,  Wu Tian-Li (International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Chen Szu-Hao (Department of Mechanical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Chen Shi-Xuan (Department of Mechanical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Chou Po-Chien (Department of Mechanical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Chang Edward Yi (Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,種々の温度での加速段階ストレスを介してSi基板上にDモードAlGaN/GaN MIS-HEMTにおけるRon分解を調べた。三相Ron分解挙動,ドレインバイアスとバックゲートバイアスと高い相関を観察した。最初に,ドレインバイアスが増加するとRon分解はピーク値まで増加した。第二に,ドレインバイアスがさらに増加すると,Ron分解は減少した。第三に,Ron分解はゆっくりと再び増加した。Ron劣化は様々な温度で特性化され,その結果は,1)高温度が室温での結果と比較してより小さいRon劣化をもたらし,2)高温度は低いドレインバイアスにおいてRon分解のピークをシフトすることを示した。トラッピングと脱トラッピングは高温及び高ドレインバイアスに起因する可能性のある機構は,観察された結果を説明するために提案する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *温度依存性 ,  キャラクタリゼーション ,  高温 ,  *HEMT ,  ピーク値 ,  *バイアス
準シソーラス用語： 三相 ,  *トラッピング ,  *AlGaN/GaN ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT ,  バイアス ,  依存性 ,  トラッピング