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J-GLOBAL ID：201702228807794819   整理番号：17A0966011

MVP ECC:メモリ信頼性に対する製造プロセス変動を意識した不等保護ECC【Powered by NICT】

MVP ECC : Manufacturing process variation aware unequal protection ECC for memory reliability

著者 (2件)： Lee Seungyeob (Department of Semiconductor and Display Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Korea) ,  Yang Joon-Sung (Department of Semiconductor Systems Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DATE  ページ： 846-851  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プロセス技術の発展に伴い,記憶密度が増加している。しかし,より小さな特徴サイズは記憶ソフトエラーに影響されやすくしている。信頼性改善のために,単一ビット誤り訂正2重ビット誤り検出を用いたECCが広く用いられている。多重ビットセルアップセットが支配的になるには,強いECCが必要である。Reed-SolomonまたはBCH符号のようなECCは有意に大きなオーバヘッドとより長い潜伏期を必要とする。問題を克服するために,本論文では,正常細胞に弱い記憶細胞と正常レベルに保護のより強いレベルを割り当てる不等保護ECCを紹介した。製造特性試験からの情報を用いて,低設計余裕と弱いメモリセルを同定することである。すべてのメモリセルを処理する同等の代わりに,それらはソフトエラーを受けやすいので,提案ECCは弱い細胞に焦点を当てた。従来のECCに比べて,実験結果は,提案したECCは,従来の同符号長のメモリ信頼性をかなり増強することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多重化 ,  記憶素子 ,  ソフトエラー ,  BCH符号 ,  *記憶装置 ,  誤り訂正 ,  *信頼性 ,  符号誤り ,  *生産工程
準シソーラス用語： 符号長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (5件)： MVP ,  ECC ,  信頼 ,  プロセス変動 ,  意識