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J-GLOBAL ID：201702228809548840   整理番号：17A0974961

遠隔N₂プラズマ処理を利用した低損傷単層MoS₂の誘電堆積の促進

Enhanced dielectric deposition on single-layer MoS₂ with low damage using remote N₂ plasma treatment

著者 (9件)： QIAN Qingkai (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN) ,  ZHANG Zhaofu (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN) ,  HUA Mengyuan (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN) ,  TANG Gaofei (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN) ,  LEI Jiacheng (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN) ,  LAN Feifei (CETC, Tianjin, CHN) ,  XU Yongkuan (CETC, Tianjin, CHN) ,  YAN Ruyue (CETC, Tianjin, CHN) ,  CHEN Kevin J (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 17  ページ： 175202,1-10  発行年： 2017年04月28日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層MoS₂の誘電堆積を促進する遠隔N₂プラズマ処理法を開発して,Raman分光法で系統的に分析し,遠隔O₂処理の場合と比べた。プラズマ誘起欠陥を,単層MoS₂の音響フォノンRaman強度から評価した。長時間プラズマ曝露の場合,N₂とO₂プラズマでは,MoS₂の格子破壊に大きな相違が見られた。O₂プラズマは主に試料表面の欠陥位置を攻撃し,試料の脆性化を誘起し,層単位で容易に酸化される。一方試料はN₂プラズマに対して遥かに安定であり,安定な点欠陥が長時間プラズマ露出後に生じるだけである。N₂プラズマは有効な表面機能化法であり,一様な誘電堆積を促進し,O₂プラズマより収率と制御性に優れることが分かった。

シソーラス用語： *単一層 ,  *硫化モリブデン ,  Ramanスペクトル ,  *誘電体薄膜 ,  遠隔制御 ,  *プラズマ処理 ,  *窒素 ,  フォノン ,  酸素 ,  *照射損傷 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： 単層 ,  遠隔コントロール ,  音響フォノン

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： N2 ,  プラズマ処理 ,  損傷 ,  単層 ,  MoS2 ,  堆積 ,  促進