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J-GLOBAL ID：201702228894354470   整理番号：17A0900413

高温高圧法によって合成したMg₂Si_1-xSb_x(0≦x≦0.025)の熱電特性

Thermoelectric properties of Mg₂Si_1-xSb_x (0≦x≦0.025) synthesized by the high-temperature high-pressure method

著者 (6件)： ZHU Yaju (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  LI Jialiang (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  DUAN Bo (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  LI Yao (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHAI Pengcheng (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  LI Peng (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 13  ページ： 9535-9541  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,高温高圧(HTHP)法によって,熱電材料Mg₂Si_1-xSb_x(0≦x≦0.025)を調製し,熱電特性の温度依存性を調べた。電子プローブ微小分析(EPMA)と電界放出型走査電子顕微鏡(FESEM)の構造評価の助けを借りて,Sbドーパントは,調製した試料中で局所化していることが分る。Sbドーパントは,材料の電気伝導率,Seebeck係数及び格子熱伝導率に差を生じさせる。Sb含有量が増加するに連れて,電気伝導率は大きく増加するが,一方,Seebeck係数の絶対値は減少する。これは,より高いキャリア濃度に起因する。そして,格子熱伝導率は,多分,Mg₂Si格子に導入されたSiとSb間の点欠陥フォノン散乱に起因して減少する。圧力は,格子欠陥散乱を強め,格子熱伝導率を減少させる可能性がある。その上,他の従来の方法と比較して,HTHP法のプロセス時間は,数日から<15分に非常に減少する。その結果,Mg₂Si_0.99Sb_0.01の最大熱電性能指数(ZT)は,873Kで2.5GPaの圧力下で0.55であり,このことは,HTHPが,Mg₂Si化合物熱電材料を作製する効果的な方法であることを示唆する。

シソーラス用語： *アンチモン化物 ,  マグネシウム化合物 ,  ケイ素化合物 ,  *熱電効果 ,  熱電材料 ,  *化学合成 ,  高圧 ,  高温 ,  X線回折 ,  格子定数 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  電子プローブX線分析 ,  輸送係数 ,  温度依存性 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  高温高圧合成

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高温高圧 ,  熱電特性