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J-GLOBAL ID：201702228896757817   整理番号：17A0666060

GaNH EMTにおける自己加熱の特性化のためのイソ捕獲測定法【Powered by NICT】

Iso-Trapping Measurement Technique for Characterization of Self-Heating in a GaN HEMT

著者 (4件)： Albahrani Sayed Ali (Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, NSW, Australia) ,  Parker Anthony (Macquarie University, Sydney, NSW, Australia.) ,  Heimlich Michael (Macquarie University, Sydney, NSW, Australia.) ,  Schwitter Bryan (Macquarie University, Sydney, NSW, Australia.)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 1  ページ： 102-108  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタ(FET)の温度応答瞬時電力消費には高周波数で有意であることが示されている,自己加熱プロセスは非常に遅い時間定数を示した。これは高い周波数での相互変調に影響する。マイクロ波FETにおける自己加熱過程の特性化に主な難しさは,自己加熱と電荷捕獲速度を区別することである。,FETにおける電荷捕獲プロセスの影響から隔離してFETにおける自己加熱プロセスを特性化することが可能となる提案したiso捕獲測定法。GaN高電子移動度トランジスタで実施されたイソ捕獲測定の結果を提示し,自己加熱プロセスを特性化することに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HF【周波数】 ,  FET【トランジスタ】 ,  周波数 ,  *窒化ガリウム ,  熱応答 ,  相互変調 ,  *キャラクタリゼーション ,  HEMT ,  *捕獲
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  *自己加熱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： EMT ,  自己加熱 ,  特性化 ,  捕獲 ,  測定法