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J-GLOBAL ID:201702228910217541   整理番号:17A0934969

SbドープSnO_2ベースゾル-ゲル薄膜におけるサブバンド局在状態効果の熱的周波数依存性の研究【Powered by NICT】

Thermal-frequency dependence study of the sub-band localized states effect in Sb-doped SnO2 based sol-gel thin films
著者 (6件):
資料名:
巻: 632  ページ: 66-72  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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アンチモンをドープしたすず酸化物を導電性透明膜をゾル-ゲルベースのディップコーティング技術によって堆積した。形態学的分析は,蒸着膜は均一,平滑と粗さはSbドーピングに依存することを明らかにした。Raman散乱は,振動モードは酸素欠乏,構造的無秩序に敏感であり,ルチルSnO_2単結晶に比べて赤方偏移することを示した。FTIR研究は,膜中のSnO(610cm~ 1)SnOSn(740cm~ 1)結合の存在を示した。光学的測定は,可視領域において高い透明度(85%)を明らかにした。光学バンドギャップはテール状態の幅の増加と共に3.87から3.79eVに変化し,バルク中の直接許容遷移に対応する。AC伝導度(σ_ac)は,半導体温度依存性挙動を示し,外因性から内因性伝導した。熱エネルギーは不均質誘電体構造結晶粒/結晶粒界のランダムに配向した酸素空格子点に局在する電子を含む分極を促進し,高い誘電率を誘導する。σ_acは高周波数でべき乗則:σ_ac=A.f~0.49に従うことが見いだされ,実験結果は,相関障壁ホッピング機構である局在状態間の電荷移動に適していることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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半導体薄膜  ,  金属薄膜  ,  非晶質・液体半導体の電気伝導 

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