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J-GLOBAL ID：201702228957074608   整理番号：17A1350608

大きな負のCTEを持つマンガン窒化物系充填剤による3D ICにおける局所応力の顕著な抑制【Powered by NICT】

Remarkable Suppression of Local Stress in 3D IC by Manganese Nitride-Based Filler with Large Negative CTE

著者 (3件)： Kino Hisashi ,  Fukushima Takafumi ,  Tanaka Tetsu
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTC  ページ： 1523-1528  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所曲げ応力は三次元IC(3D IC)におけるアンダーフィル材料と金属マイクロバンプの間の熱膨張係数(CTE)の不整合により誘起される。アンダーフィルの充填剤の高濃度が局所曲げ応力を抑制する効果がある。しかし,微細ピッチマイクロバンプによる充填剤の高濃度を適用することは困難である。一方,マンガン窒化物系化合物は従来の負のCTE材料と比較して大きな負のCTEを有していた。本研究では,3D ICにおけるアンダーフィルと金属マイクロバンプ間のCTE不整合により誘起された局所曲げ応力に及ぼすマンガン窒化物系充填剤の影響を調べた。マンガン窒化物系充填剤は,従来のシリカベース充填剤と比較してアンダーフィルのCTEを減少させることができることを観察した。この結果は,マンガン窒化物系充填剤は局所曲げ応力抑制による3D ICにおける保持したゾーン(KOZ)を減少させることができることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *三次元 ,  熱膨張係数 ,  *マンガン ,  曲げ応力 ,  不整合 ,  *窒化物
準シソーラス用語： 高濃度 ,  マイクロバンプ ,  アンダーフィル ,  *局部応力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： マンガン ,  窒化物 ,  充填剤 ,  3D ,  IC ,  局所応力