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J-GLOBAL ID：201702228964154964   整理番号：17A0755627

ヘテロ接合TFETにおけるしきい値電圧の抽出のためのアルゴリズム【Powered by NICT】

An Algorithm for Extraction of Threshold Voltage in Heterojunction TFETs

著者 (2件)： Goswami Rupam (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, India) ,  Bhowmick Brinda (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, India)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16  号： 1  ページ： 90-93  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二次元Poisson方程式に基づくアルゴリズムを示し,これを検証し,トンネル接合でのSiGe層を有するシリコントンネル電界効果トランジスタ(TFET)のしきい値電圧を抽出するために「表面電位プロットに接線」アプローチを提案した。手法はホモ接合シリコンTFETとSiGeチャネルシリコンTFETに対して有効である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アルゴリズム ,  *ヘテロ接合 ,  閾値 ,  二次元 ,  ケイ素 ,  Poisson方程式 ,  表面電位 ,  トンネル接合
準シソーラス用語： ホモ接合 ,  シリコンゲルマニウム ,  *閾値電圧 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ接合 ,  TFET ,  しきい値電圧 ,  アルゴリズム