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J-GLOBAL ID：201702228968141694   整理番号：17A1640610

環境的に安定な溶液処理酸化物薄膜トランジスタに向けて:稀な無金属酸化物ベース半導体/絶縁体ヘテロ構造と化学的に安定な多重スタッキング【Powered by NICT】

Towards environmentally stable solution-processed oxide thin-film transistors: a rare-metal-free oxide-based semiconductor/insulator heterostructure and chemically stable multi-stacking

著者 (5件)： Cho Sung Woon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, 300 Cheoncheon-dong, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Kim Da Eun ,  Kim Kyung Su ,  Jung Sung Hyun ,  Cho Hyung Koun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 40  ページ： 10498-10508  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コスト効率,高性能,および長期の環境信頼性を有する実際の溶液処理酸化物薄膜トランジスタ(TFT)のために,新しいゾル-ゲル加工レアメタル-フリーの酸化物ベースの半導体/絶縁体[ZnSnO(ZTO)/Al_2O_3]ヘテロ構造チャネルと化学的に安定なゾル-ゲル多重スタッキング法を示唆した。レアメタル-フリーZTO/Al_2O_3ヘテロ構造では,高化学的耐久性を炉中及びGa ZTO半導体は,効果的な電子輸送層として採用した。地球に豊富なAl_2O_3絶縁体はZTOバックチャネル領域における雰囲気ガス分子障壁とソース/ドレイン電極下のトンネリングに誘起された電子輸送層の両方として用いた。ゾル-ゲルに基づくヘテロ構造建設中の酸性および塩基性前駆体溶液からの避けられない化学的攻撃を最小にするために,化学的に耐久性のあるSn変調ZTO半導体と弱い腐食pH人工Al_2O_3前駆体溶液によって成功裏に実証された化学的に安定なゾル-ゲルZTO/Al_2O_3ヘテロ構造積層。提案したレアメタル-フリーZTO/Al_2O_3ヘテロ構造および化学的に安定な積層は,湿度,温度,バイアス電圧,及び光照射下で優れた安定性を持つゾル-ゲル法酸化物TFTを実現した。新しいZTO/Al_2O_3ヘテロ構造および化学的に安定なゾル-ゲルスタッキング法は,コスト効率,高性能,および長期信頼性を有する実用的な溶液ベースの酸化物TFTの作製のための興味ある経路を提供し,高い環境不安定性と従来のレアメタル系酸化物材料とチャネル構造の代わりにすると信じている。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  前駆体 ,  チャネル ,  *金属酸化物 ,  耐久性 ,  *薄膜トランジスタ ,  *半導体 ,  信頼性 ,  不安定性 ,  スズ ,  *酸化物 ,  光照射 ,  ゲル ,  *絶縁体
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (10件)： 環境 ,  溶液処理 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  金属酸化物 ,  絶縁体 ,  ヘテロ構造 ,  化学 ,  多重 ,  スタッキング