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J-GLOBAL ID：201702229032025704   整理番号：17A1350223

安全でエネルギー効率の良いドーピングフリー相補型回路のための低ソース-ドレイン漏れのある再構成可能なゲルマニウムトランジスタ【Powered by NICT】

Reconfigurable germanium transistors with low source-drain leakage for secure and energy-efficient doping-free complementary circuits

著者 (9件)： Trommer J. (Namlab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Heinzig A. (Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany) ,  Slesazeck S. (Namlab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Muhle U. (Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany) ,  Loffler M. (Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany) ,  Walter D. (Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany) ,  Mayr C. (Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany) ,  Mikolajick T. (Namlab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Weber W. M. (Namlab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウムは将来のVLSIデバイスのための有望な材料,その高い正孔移動度に起因していた。しかし,0.66eVの低いバンドギャップのためにGeをベースにした素子は,高い静的消費電力の推移高い逆接合漏れに悩まされている。本論文では,複数の独立したゲートを持つナノワイヤ構造を適用した沖方向の漏れを抑制する10~ 9A/μm以下のオフ電流レベルを達成した。添加では,同じされたドーピングの無い素子の極性は単極p型およびn型機能間をスイッチ,ドーパントを使用しない動的にすることができた。特徴は,CMOSを用いたアクセスできない撹乱回路設計可能性の多様性を提供する,例えばハードウェアセキュリティの面積[l]。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーパント ,  バンドギャップ ,  *ゲルマニウム ,  CMOS ,  消費電力 ,  *安全性 ,  極性 ,  超LSI ,  回路設計 ,  ナノワイヤ ,  *エネルギー効率 ,  スイッチ
準シソーラス用語： オフ電流 ,  正孔移動度 ,  *再構成可能性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： エネルギー効率 ,  ドーピング ,  ソース ,  ドレイン ,  再構成 ,  ゲルマニウム ,  トランジスタ