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J-GLOBAL ID：201702229057460027   整理番号：17A0449294

階層ナノ構造ほう素をドープしたダイヤモンド電極表面【Powered by NICT】

Hierarchically nanostructured boron-doped diamond electrode surface

著者 (14件)： Kondo Takeshi (Department of Pure and Applied Chemistry, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Kondo Takeshi (Research Institute for Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Kondo Takeshi (ACT-C/JST, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 333-0012, Japan) ,  Yajima Keita (Department of Pure and Applied Chemistry, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Kato Tsuyoshi (Department of Pure and Applied Chemistry, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Okano Masahiro (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Terashima Chiaki (Research Institute for Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Terashima Chiaki (ACT-C/JST, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 333-0012, Japan) ,  Aikawa Tatsuo (Department of Pure and Applied Chemistry, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Hayase Masanori (Research Institute for Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Hayase Masanori (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Yuasa Makoto (Department of Pure and Applied Chemistry, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Yuasa Makoto (Research Institute for Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Yuasa Makoto (ACT-C/JST, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 333-0012, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 72  ページ： 13-19  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きな比表面積を有するほう素をドープしたダイヤモンド(BDD)電極は,階層的ナノ構造の形成により作製した。BDD薄膜はフォトリソグラフィーを用いて作製したシリコンピラーアレイ基板上に堆積したBDDピラーアレイ(BDD PA)を得た。BDD PAは表面(P BDD PA)上に緻密な細孔を形成するための二段階熱処理に供した。P BDD PAは,反応性イオンエッチング(RIE)によって表面処理(P BDDW PA)上のナノホイスカを形成した。これら構造の組合せ(ピラーアレイ,細孔とナノホイスカ)は電解質水溶液中で電位窓(約3V)の狭窄無しで拡張した比表面積に基づく強化された二重層静電容量(約2800μFcm~ 2)を可能にした。二段階熱処理とRIE処理の組合せは,時定数の大きな増加なしにマイクロメータサイズ構造からなる多孔質BDD材料の容量を増大するための効果的な後処理方法である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ホウ素 ,  後処理 ,  *ダイヤモンド ,  細孔 ,  *ドーピング ,  時定数 ,  フォトリソグラフィー ,  *ナノ構造 ,  多孔性 ,  RIE【エッチング】 ,  比表面積 ,  電解質水溶液 ,  ナノホイスカ ,  *ダイヤモンド電極 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： ピラーアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ホウ素ドープダイヤモンド ,  反応性イオンエッチング ,  階層的ナノ構造 ,  スーパーキャパシタ

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 階層 ,  ナノ構造 ,  ほう素 ,  ドープ ,  ダイヤモンド ,  電極表面