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J-GLOBAL ID：201702229178851475   整理番号：17A1767464

Ge MOSFETの反転層における正孔移動度の応力応答モデル

A Stress Response Model for Hole Mobility in the Inversion Layer of Ge MOSFETs

著者 (4件)： CHEN Kuan-Ting (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LEE Chia-Feng (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  HE Ren-Yu (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  CHANG Shu-Tong (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 11  ページ： 8511-8515  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだGe PMOSFETの反転層における正孔移動度計算と新しいピエゾ抵抗モデルを示した。このピエゾ抵抗モデルは,応力に依存しない9つのピエゾ抵抗係数に基づいており,バルクGeと比べて対称性の低下を考慮した。ピエゾ抵抗係数は最大応力レベルが2GPaである6種類の特定の応力構造についてKubo-Greenwood移動度計算により決定した。最後に,一般的な応力構成に対する新しいピエゾ抵抗モデルとKubo-Greenwood移動度の式は良く一致した。新しいピエゾ抵抗モデルは移動度利得を容易に予測でき,Buflerのモデルよりも簡単であり,一次モデルよりも優れている。

シソーラス用語： *電気抵抗 ,  *MOSFET ,  ゲルマニウム ,  反転層 ,  *キャリア移動度 ,  正孔 ,  モデル
準シソーラス用語： *pMOSFET ,  *ピエゾ抵抗 ,  応力応答モデル ,  正孔移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  MOSFET ,  反転層 ,  正孔移動度 ,  応力 ,  応答 ,  モデル