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J-GLOBAL ID：201702229274521569   整理番号：17A0579337

分子線エピタキシーを使用した模様のあるGaAsSbのアキシャルおよびGaAs/GaAsSbのコアシェルナノワイヤの自触媒成長におけるピッチで誘発されたバンドギャップ調節

Pitch-Induced Bandgap Tuning in Self-Catalyzed Growth of Patterned GaAsSb Axial and GaAs/GaAsSb Core-Shell Nanowires Using Molecular Beam Epitaxy

著者 (5件)： SHARMA Manish (North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA) ,  KARIM Md Rezaul (North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA) ,  KASANABOINA Pavan (North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA) ,  LI Jia (North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA) ,  IYER Shanthi (North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 17  号： 2  ページ： 730-737  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)面上にGaの分子線エピタキシーにより自触媒的に模様のあるアキシャルなGaAsSbとコアシェル構造のGaAs/GaAsSbのナノワイヤ(NWs)アレイを成長させた。NWsの形状と光学的性質に対してピッチが誘発する効果を調べた。NWアレイのマイクロ光ルミネセンスス(4Kμ-PL)ペクトルのピークの赤方偏移が,両配置でのピッチ長の変化につれて認められた。PL強度ピークの変化はシミュレーション計算されたピッチ長への光吸収の依存性に追随している。隣接したNWsの側面ファセットから再放出される二次フラックスはより小さなピッチ長での成長で寄与し,酸化物表面からの二次フラックスは,一定の条件下では,大きなピッチ長で支配的となる。模様のあるNWsのバンドギャップを調節する方法としてNWアレイのピッチ長を変化させるのは有望である。

シソーラス用語： *MBE成長 ,  アンチモン化物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *コアシェル構造 ,  立体配置 ,  自触媒作用 ,  *ピッチ【機械要素】 ,  バンドギャップ ,  結晶成長 ,  ナノ構造 ,  光ルミネセンス ,  赤方偏移 ,  機構
準シソーラス用語： *GaAsSb ,  *アキシャル ,  *ナノワイヤアレイ ,  成長機構

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (10件)： 分子線エピタキシー ,  模様 ,  GaAsSb ,  GaAs ,  触媒 ,  成長 ,  ピッチ ,  誘発 ,  バンド ,  ギャップ調節