文献

J-GLOBAL ID：201702229398379972   整理番号：17A1088556

メモリデバイスのHVM用ナノインプリントリソグラフィ(NIL)の研究

Study of Nanoimprint Lithography (NIL) for HVM of memory devices

著者 (10件)： KONO Takuya (Toshiba Corp., Kanagawa-ken, JPN) ,  HATANO Masayuki (Toshiba Corp., Kanagawa-ken, JPN) ,  TOKUE Hiroshi ,  KOBAYASHI Kei ,  SUZUKI Masato ,  FUKUHARA Kazuya ,  ASANO Masafumi ,  NAKASUGI Tetsuro ,  CHOI Eun Hyuk (SK Hynix Inc., Gyeonggi-do, KOR) ,  JUNG Wooyung (SK Hynix Inc., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10144  ページ： 1014406.1-1014406.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS半導体デバイスの微細化へのニーズが高まっており,次世代リソグラフィ(NGL)技術の研究開発が行われている。本論文では,半導体デバイス製造に望ましい欠陥率,オーバーレイ精度,およびスループット性能を達成するための解決策について説明する。そして,NILによるHVMの欠陥制御とオーバレイ制御について検討した。NILツールおよびプロセス制御技術における最近の進歩は,欠陥およびオーバーレイ性能の劇的な改善をもたらした。NIL欠陥低減作業に関しては,非充填欠陥のメカニズムを調べ,より高いガス溶解性レジストを適用した。本実験の結果は,充填時間が短縮されたとしても,非リピータ欠陥が現像されたレジストで抑制されることを明確に示した。

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *リソグラフィー ,  *電子技術 ,  *精密化 ,  レジスト
準シソーラス用語： メモリデバイス ,  *ナノインプリントリソグラフィー ,  *CMOS技術 ,  *微細化

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： メモリデバイス ,  ナノインプリントリソグラフィ ,  NIL ,  研究