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J-GLOBAL ID：201702229404467130   整理番号：17A0603272

窒素ドープSiCにおける積層欠陥挙動の高温その場観察

著者 (3件)： 加藤智久 (産業総合研) ,  原田俊太 (名古屋大) ,  CHEN P. (名古屋大)
資料名： 名古屋大学電子光学研究のあゆみ  (Nagoya University Ayumi(Progress Steps) of the Electron Optics Research)
号： 28  ページ： 71  発行年： 2017年05月10日 
JST資料番号： X0925A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 溶液法により成長させた窒素ドープSiC結晶の積層欠陥を超高圧電子顕微鏡観察により調べた。HAADF-STEM像から,積層欠陥は立方晶の積層が6レイヤー続く二重Schottky型の積層欠陥と分った。高温でその場観察を行った。[11-20]に近い方向の電子ビームが透過する厚みの結晶を観察した。高温加熱ホルダーを用いて,電子顕微鏡観察を行った。室温から1000°Cまで昇温すると,同一箇所に黒いコントラストの積層欠陥が観察された。さらに昇温すると,タングステンフィラメントと結晶が反応して,結晶が大きくドリフトしてしまい観察は困難となった。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  溶液成長 ,  窒素 ,  ドーピング ,  *積層欠陥 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  その場観察
準シソーラス用語： HAADF-STEM

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素ドープ ,  SiC ,  積層欠陥 ,  挙動 ,  その場観察