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J-GLOBAL ID:201702229425424922   整理番号:17A1421057

CH_3OH/Ar,C_2H_5OH/Ar,CH_4/Ar,CH_4/O_2/Ar混合ガスの高密度プラズマ中でのパラジウム薄膜のドライエッチング【Powered by NICT】

Dry etching of palladium thin films in high density plasmas of CH3OH/Ar, C2H5OH/Ar, CH4/Ar, and CH4/O2/Ar gas mixtures
著者 (5件):
資料名:
巻: 636  ページ: 325-332  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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TiN膜でマスクしたPd薄膜の高密度プラズマエッチングはCH_3OH/Ar,C_2H_5OH/Ar,CH_4/Ar,CH_4/O_2/Arガス混合物を用いて行った。全てのガス混合物中のPd膜とTiNマスクのエッチ速度は減少したが,エッチ選択性は増加した。C_2H_5OH/Arガス中でエッチングしたPd膜のエッチプロファイルはCH_3OH/Arガスで得られたものより良好であった。CH_4/Ar混合ガスにO_2ガスの添加はPd膜のエッチプロファイルをかなり改善した。CH_4,Ar及びO_2は滑らかな側壁をもつ垂直エッチプロフィルを得る上で重要な役割を果たすことが分かった。エネルギー分散型X線分光法およびX線光電子分光法は側壁と膜表面上の高分子層とPdO_x化合物の形成を明らかにした。C_2H_5OH/ArとCH_4/O_2/Arガス混合物の使用で達成された高い異方性度との良好なエッチプロファイル。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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