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J-GLOBAL ID:201702229524454248   整理番号:17A1026110

B TIによるVthドリフトの寿命モニタリングのためのSRAMセル書込みマージン計量の評価【Powered by NICT】

Evaluation of SRAM cell write margin metrics for lifetime monitoring of BTI-induced Vth drift
著者 (2件):
資料名:
巻: 2017  号: DTIS  ページ: 1-6  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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しきい値電圧変動は,プロセス変動と信頼性問題が増えている。しきい値電圧をもつSRAMセル安定性依存性はB TI誘導V_thドリフトに起因する信頼性劣化を抽出するために解析した。いくつかの書込みマージン定義を選択してしきい値電圧内蔵センサに実装するための実現可能性を解析した。外部細胞ノード測定に基づく書込マージンが高活性システムと長期貯蔵の両方に対して良い直線性を維持するハードウェアの所要量を減らす大きなメモリアレイのための最良の適合性を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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