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J-GLOBAL ID：201702229654714168   整理番号：17A1488487

SiリッチCrSi抵抗膜のTCRを減少させる深準位不純物としてのM(MNi, Mo, NiMo)の機構【Powered by NICT】

Mechanism on M (MNi, Mo, NiMo) as deep level impurity reducing the TCR of Si-rich CrSi resistive films

著者 (12件)： Wang X.Y. (School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Wang X.Y. (Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Liu Y.P. (School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Liu Y.P. (Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Ding B.N. (School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Ding B.N. (Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Li M.X. (School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Li M.X. (Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Chen T.N. (School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Chen T.N. (Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Zhu X.T. (School of Microelectronics, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Zhu X.T. (Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 217-228  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CrSi M(MNi, Mo, NiMo)抵抗膜は,同一プロセス条件でマグネトロンスパッタリング法により作製した。実験結果は,金属MはSiリッチCrSi抵抗膜の抵抗の温度係数(TCR)を低減することができ,抵抗膜はT CR零に向かうに従ってCrSiMo(6.34at%)<CrSiNi(9.97at%)<CrSiNi(6.08at%)Mo(2.47at%)の順に従うことを示した。XRD分析はCrSi_2を調製しCrSi M抵抗膜における主要な導電性相であることを明らかにした。MはSiリッチCrSi抵抗膜のTCRを低減できる理由を明らかにするために,第一原理を用いて,状態密度とバンド構造からCrSi_2の性能に及ぼすMの影響を研究することであった。MドープCrSi_2に関する第一原理研究は,Mは深準位不純物の形でCrSi_2半導体に存在する可能性があることを示し,NiとMo CrSi_2の両方にエネルギーバンドモデルを第一原理シミュレーションの結果を反映するために構築した。確立されたモデルに基づいて,電子を捕捉電子トラップとして深準位不純物と強束縛励起子の形成はCrSi_2半導体の伝導率に寄与したであるに対する非平衡ホットキャリアを抑制できることを機構を提案した。結果として,SiリッチCrSi抵抗膜のTCRは,深い準位の不純物としてのMのドーピングにより減少した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *不純物 ,  導電性 ,  非平衡状態 ,  ドーピング ,  マグネトロンスパッタリング ,  捕獲 ,  第一原理 ,  ホットキャリア ,  半導体 ,  状態密度 ,  *深い準位 ,  *ニッケル ,  X線回折 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *抵抗膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cr-Si膜 ,  CrSi_2 ,  深準位不純物 ,  電子トラップ ,  第一原理

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  抵抗膜 ,  TCR ,  深準位 ,  不純物 ,  Mo