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J-GLOBAL ID：201702229693988782   整理番号：17A1164713

単一および二重ナノ粒子を負荷したブリスタによるシリコン基板上のグラフェン接着の測定【Powered by NICT】

Measuring Graphene Adhesion on Silicon Substrate by Single and Dual Nanoparticle-Loaded Blister

著者 (6件)： Gao Xiangyang (School of Instrumentation Science and Opto-Electronics Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Yu Xiyu (School of Instrumentation Science and Opto-Electronics Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Li Buxuan (School of Aerospace Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Fan Shangchun (School of Instrumentation Science and Opto-Electronics Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Li Cheng (School of Instrumentation Science and Opto-Electronics Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Li Cheng (Department of Mechanical Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 4  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201601023  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンと支持基板間の界面におけるvan der Waals接着挙動はグラフェンベースセンサの性能を特性化するために重要である。シリコンウエハ上にmonolayer/few layer/multilayerグラフェンシートの接着エネルギーを決定するための改良された一般的で直接的な方法は,1個及び二個のナノ粒子を負荷した軸対称ブリスタの剥離半径を測定して実証した。グラフェン-シリコン界面での円形膜捕獲ナノ粒子の大変形のための確立されたモデルを用いて,単分子層,3 5層,および10 15層グラフェン膜の接着エネルギーは0.453J m~ 2,0.317Jm~ 2,および0.276Jm~ 2であった,以前に測定した結果と非常に良く一致するとして得られた。この提示した方法はさらに他の2D材料と種々の基板との間の接着エネルギーを測定するために拡張することができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 大変形 ,  *グラフェン ,  *ナノ粒子 ,  単分子層 ,  *接着 ,  軸対称性 ,  *ブリスタリング ,  界面 ,  捕獲 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 接着エネルギー ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 直接測定 ,  グラフェン ,  界面接着 ,  ナノ粒子負荷ブリスタ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ粒子 ,  ブリスタ ,  シリコン基板 ,  グラフェン