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J-GLOBAL ID：201702229760406228   整理番号：17A1033154

平面サブミクロン技術ノードにおけるSERスケーリングと傾向【Powered by NICT】

SER scaling and trends in planar submicron technology nodes

著者 (1件)： Chavali Krishna Mohan (Quality Reliability Engineering, GLOBALFOUNDRIES Inc., Malta, New York, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDTM  ページ： 206-208  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ロバストSER要求を満たす必要がある製品のための技術ノードとプロセスを選択する際のソフトエラー率(SER)スケーリングと傾向を分析し,理解することが重要である。本論文では,90nmから20nmの平面サブミクロンノードにおけるFITs/Mbに正規化されたSERスケーリングと傾向を解析し論じた。本論文では,正規化FITs/Mbに基づくSERスケーリングを示して議論する。これは故障数に基づく比較可能性と公表されたSER傾向とスケーリングを改善する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 故障 ,  ロバスト性 ,  *正規化
準シソーラス用語： ソフトエラー率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  ノード ,  SER ,  スケーリング ,  傾向