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J-GLOBAL ID：201702229849805816   整理番号：17A1637401

先端技術プロセスのための元素キャラクタリゼーションへのEELSの応用研究【Powered by NICT】

EELS applications study in elements characterization for advanced technology process

著者 (6件)： Zhou Jiashi (Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) Shanghai, 18 Zhangjiang Road, Shanghai, 201203, China) ,  Fan Chunyan (Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) Shanghai, 18 Zhangjiang Road, Shanghai, 201203, China) ,  Wang Jing (Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) Shanghai, 18 Zhangjiang Road, Shanghai, 201203, China) ,  Duan Shuqin (Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) Shanghai, 18 Zhangjiang Road, Shanghai, 201203, China) ,  Li Ming (Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) Shanghai, 18 Zhangjiang Road, Shanghai, 201203, China) ,  Zhang Qihua (Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) Shanghai, 18 Zhangjiang Road, Shanghai, 201203, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体製造中の元素特性化のための電子エネルギー損失分光法(EELS)の応用を検討した。最初の実験は,EELSおよびX線光電子分光法(XPS)の間の元素化学状態分析の能力を比較した。いくつかの相変化ランダムアクセスメモリ(PcRAM)生成物はTiN接続電極破壊を受けた。EELSとXPSは,TiN膜の化学状態を確認するために別々に用いた,それは部分的に酸化された見出した。第二の実験では,元素分布マッピングのためのEELSとEDXの能力を比較した。これら二つの方法を用いて,28nm高k金属ゲートNMOSデバイス中の元素分布を分析した。結果はEDXは要素畳込みと多重散乱の影響は受けるが,EELSなかった,EELSは元素分布のより正確な情報を提供できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  畳込み ,  *電子エネルギー損失分光法 ,  RAM【メモリ】 ,  X線光電子分光法 ,  多重散乱 ,  状態分析 ,  X線光電子スペクトル ,  相転移 ,  NMOS構造
準シソーラス用語： メタルゲート ,  元素分布 ,  化学状態 ,  窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  圧縮点火機関  (PB02030N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 先端技術 ,  プロセス ,  元素 ,  キャラクタリゼーション ,  EELS ,  応用 ,  研究