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J-GLOBAL ID:201702229905427672   整理番号:17A1309783

Ni/Bi2Te3/NiとNi/Sb2Te3/Ni薄膜からの先進的熱電素子の熱電特性と光学的性質

Thermoelectric and optical properties of advanced thermoelectric devices from Ni/Bi2Te3/Ni and Ni/Sb2Te3/Ni thin films
著者 (7件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 051401-051401-6  発行年: 2017年09月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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熱電素子を,直流/高周波マグネトロンスパッタリングと電子ビーム蒸着システムの両方を用いて,Ni/Bi2Te3/NiとNi/Sb2Te3/Niとの薄膜から作製した。熱電薄膜素子はSeebeck係数と電気伝導率の両方を増加させ,熱伝導率を減少させるため,様々な温度で1時間のアニールをして多層薄膜のナノ構造を形成した。Ni/Bi2Te3/Ni薄膜にて製作された薄膜を300°Cでアニールしたとき,-437.78μV/Kという最高のSeebeck係数が達成された。Ni/Bi2Te3/Ni薄膜からの試料を100°Cでアニールしたとき,σ=4.26×106(Ωm)-1という最高の電気伝導率が達成され,アニーリングを続けると電気伝導率は減少した。Ni/Sb2Te3/Ni薄膜にて作製した素子を200°Cでアニールしたとき,-1253.85μV/Kという最高のSeebeck係数が達成された。Ni/Sb2Te3/Ni薄膜からの試料を250°Cでアニールしたとき,σ=1.45×104(Ωm)-1という最高の電気伝導率が達成された。エネルギー分散X線分光計を備えた走査電子顕微鏡(SEM)は,Ni/Bi2Te3/Ni薄膜を0~300°Cの間の様々な温度で連続的にアニールしたとき,Ni薄膜の表面にいくつかのナノドットが形成されることを示した。Ni/Sb2Te3/Ni薄膜は,0~300°Cの間の様々な温度でアニールしたとき滑らかな表面を示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  熱電デバイス  ,  非金属のその他の熱的性質 
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