文献

J-GLOBAL ID：201702230035512572   整理番号：17A0246158

高周波GaN-HEMTの製品化の経緯

Commercialization of GaN-HEMT for High Frequency Application

著者 (1件)： 舘野泰範 (住友電気工業 伝送デバイス研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 432(MW2016 172-187)  ページ： 7-12  発行年： 2017年01月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高周波高出力デバイスとして,着実に市場シェアを拡大し続ける,窒化ガリウムトランジスタ(GaN-HEMT)について,その開発初期から製品化・市場投入にいたるまでの経緯をまとめた。GaN-HEMTに特有の電流コラプスの改善に代表されるデバイス特性の改良のみでなく,それに並行して行った,高効率回路形式へのGaN-HEMTの適用性実証などのアプリケーション開発,さらに歩留改善・コスト低減・信頼性実証など量産技術・実用化技術開発についても記述した。(著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *HEMT ,  参入 ,  市場 ,  信頼性 ,  実用化 ,  原価低減

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra., “The Impact of Surface States on the DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, no. 3, pp. 560-566, Mar. 2001.
• T. Kikkawa, M. Nagahara, N. Okamoto, Y. Tateno, Y. Yamaguchi, N. Hara, K. Joshin, and P. M. Asbeck, “Surface-Charge-Controlled AlGaN/GaN-Power HFET without Current Collapse and Gm Dispersion,” IEDM Tech. Digest, pp. 25. 4. 1, 2001
• K. Joshin, T. Kikkawa, H. Hayashi, T. Maniwa, S. Yokokawa, M. Yokoyama, N. Adachi and M. Takikawa, “A 174 W High-Efficiency GaN HET Power Amplifier for W-CDMA Base Station Application,” IEDM Tech. Digest, pp.12.6.1, 2003
• N. Ui, RWS, pp.718, 2006
• F. Yamaki, CS-MANTECH Digest, pp.95, 2007

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波 ,  GaN ,  HEMT ,  製品化