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J-GLOBAL ID：201702230167006496   整理番号：17A1774621

最小損失のためのSiCデバイス選択を最適化するための簡単な方法【Powered by NICT】

A simple technique to optimize SiC device selection for minimum loss

著者 (3件)： Roscoe Nina (University of Strathclyde, The Technology and Innovation Centre, 99 George St Glasgow, United Kingdom) ,  McNeill Neville (University of Strathclyde, The Technology and Innovation Centre, 99 George St Glasgow, United Kingdom) ,  Finney Stephen (University of Strathclyde, The Technology and Innovation Centre, 99 George St Glasgow, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.13  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCデバイスは,以前IGBTにより支配される応用に挑戦する電圧と電流定格を達成した。IGBTとSiC素子の並列接続は,伝導損失を低減するために使用できる可能性がある。SiC伝導損失は低Rds(),または大きなダイ面積とともに減少するが,スイッチング損失の低減は,小さなCoss,小さなダイ面積を必要とする。改良された解析モデルは,SiCスイッチング損失を正確に予測した。広範な実験データを二種類のSiCデバイスのためのモデルの精度を検証した。本論文では,SiCの性能指数(FOM)を用いて与えられたスイッチング周波数で最適Rds()を同定するための簡単な方法を提示した。FOMは,近似SiC損失に簡単なモデルで用いられ,最適スイッチング周波数を同定する試みに簡単なフィルタモデルと結合し,これは完全なモデルと比較した。FOMモデルは最適スイッチング周波数の予測に近いことが示されているが,完全モデルを正確に最適スイッチング周波数を正確に使用しなければならない。完全,より複雑なモデルは1回実施されるだけがFOM法は,最適ダイ面積とデバイス選択を同定する際の値を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング損失 ,  電流 ,  *最適化 ,  性能指数 ,  解析モデル ,  IGBT ,  電圧 ,  *炭化ケイ素 ,  近似法 ,  並列接続
準シソーラス用語： スイッチング周波数 ,  SiC素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 損失 ,  SiC ,  最適化