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J-GLOBAL ID：201702230168285835   整理番号：17A0055493

片持梁と膜に位置するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの歪誘起応答【Powered by NICT】

Strain induced response of AlGaN/GaN high electron mobility transistor located on cantilever and membrane

著者 (8件)： Dzuba J. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Vanko G. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Babchenko O. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Lalinsky T. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Horvat F. (Institute of Applied Mechanics and Mechatronics, Faculty of Mechanical Engineering, Slovak University of Technology in Bratislava, Na ́m. Slobody 17, 812 31 Bratislava, Slovakia) ,  Szarvas M. (Institute of Applied Mechanics and Mechatronics, Faculty of Mechanical Engineering, Slovak University of Technology in Bratislava, Na ́m. Slobody 17, 812 31 Bratislava, Slovakia) ,  Kovac T. (Institute of Applied Mechanics and Mechatronics, Faculty of Mechanical Engineering, Slovak University of Technology in Bratislava, Na ́m. Slobody 17, 812 31 Bratislava, Slovakia) ,  Hucko B. (Institute of Applied Mechanics and Mechatronics, Faculty of Mechanical Engineering, Slovak University of Technology in Bratislava, Na ́m. Slobody 17, 812 31 Bratislava, Slovakia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 227-230  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III族窒化物,特にAlGaN/GaNデバイスは,優れた機械的や電気的性質のおかげで微小電気機械センサで広く使用されることができる。本研究では,片持梁と膜の固定端に位置するAlGaN/GaN C EMTのソース-ドレイン電流に適用した機械的負荷の影響を調べた。計算した歪に対する出力電流の線形依存性が観測された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 線形性 ,  電気的性質 ,  *HEMT ,  電気機械 ,  センサ ,  電流 ,  窒化物 ,  *片持梁 ,  固定端 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： 機械的負荷 ,  ドレイン電流 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 片持梁 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  歪 ,  誘起 ,  応答