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J-GLOBAL ID：201702230209082323   整理番号：17A0991567

赤外線コンバータシステムにおけるGaAsとGaP半導体カソードの特性

The Features of GaAs and GaP Semiconductor Cathodes in an Infrared Converter System

著者 (2件)： KURT H. Hilal (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  TANRIVERDI Evrim (Gazi Univ., Ankara, TUR)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 7  ページ： 4024-4033  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微小放電ユニットは赤外線(IR)イメージコンバータの主要な部分である。このようなシステムでは,ガスを満たした,>10⁷Ωcmの高抵抗半導体カソード(IR領域で感受性を持つ),および透明薄膜でコートしたガラス基板が使われる。本稿では,IRコンバータシステムで使われる高抵抗GaAsとGaP光伝導電極のカソード特性を比較して調べた。放電セルはArを満たした。GaAsとGaPカソードの特性を比較するため,COMSOLマルチフィジックスプログラムを使った。実験の結果,電子移動度,電子熱運動速度,表面電荷密度および平均電子エネルギーはGaAsの方がGaPより高かった。このため,GaAsの方がGaPより光電子特性が優れている。さらに,GaAsは赤外線領域で優れた光応答をすることが分かった。

シソーラス用語： 撮像 ,  赤外線 ,  *ヒ化ガリウム ,  *リン化ガリウム ,  像変換器 ,  *光電陰極 ,  物理的性質 ,  光電子 ,  応答 ,  光照射 ,  キャリア移動度 ,  密度 ,  表面電荷
準シソーラス用語： GaAs ,  GaP ,  イメージコンバータ ,  光応答 ,  光電子物性 ,  赤外線イメージング ,  電子移動度 ,  表面電荷密度

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  科学写真  (ZA04040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 赤外線 ,  コンバータ ,  GaAs ,  GAP ,  カソード