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J-GLOBAL ID：201702230234623227   整理番号：17A1772442

1.2kV SiCダイオードのサージ電流ロバスト性に及ぼすレイアウトの影響【Powered by NICT】

Impact of layout on the surge current robustness of 1.2 KV SiC diodes

著者 (5件)： Banu Viorel (D+T Microe ́lectronica A.I.E., Campus UAB, 080193 Bellaterra-Barcelona, Catalunya, Spain) ,  Berthou Maxime (Caly Technologies SAS, CS 52132, 58 Boulevard Niels Bohr, F69603 Villeurbanne Ce ́dex, France) ,  Montserrat Josep (IMB-CNM, CSIC, Campus UAB, 080193 Bellaterra-Barcelona, Catalunya, Spain) ,  Jorda Xavier (IMB-CNM, CSIC, Campus UAB, 080193 Bellaterra-Barcelona, Catalunya, Spain) ,  Godignon Philippe (IMB-CNM, CSIC, Campus UAB, 080193 Bellaterra-Barcelona, Catalunya, Spain)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CAS  ページ： 147-150  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.2kV4H-SiC JBSダイオードの種々のレイアウト設計のための実験的サージ電流評価について述べた。シリコンパワーデバイスのそれらと有意にを超えた温度で動作する炭化けい素デバイスは固有の信頼性試験を必要とする,この新世代パワーデバイスの高温動作および/または高パワー密度に適応させた。実際には,高電流密度で生じる三次元効果のために計算機シミュレーションによるサージ電流能力を予測することは不可能である。サージ電流特性化のための唯一の利用可能な方法は実験である。10ms正弦波電力電流パルスの使用はI-V特性によって証明され,出力パルス中のダイオード内で開発した温度,および印加電力中の双極活性化特性にできた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ダイオード ,  信頼性試験 ,  パルス ,  *ロバスト性 ,  電力 ,  正弦波 ,  電流密度 ,  *炭化ケイ素 ,  配置設計 ,  電流電圧特性 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： パルス電流 ,  電力密度 ,  パワーデバイス ,  *サージ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  ダイオード ,  サージ電流 ,  ロバスト性