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J-GLOBAL ID：201702230257705891   整理番号：17A0040748

モンテカルロシミュレーションを用いた電子-フォノン散乱の考慮による電力Si MOSFETの熱特性

Thermal Properties of Power Si MOSFET by Considering Electron - Phonon Scattering Using Monte Carlo Simulation

著者 (4件)： Kibushi Risako (Dept. of Mechanical Systems Engineering, Toyama Prefectural University) ,  Hatakeyama Tomoyuki (Dept. of Mechanical Systems Engineering, Toyama Prefectural University) ,  Nakagawa Shinji (Dept. of Mechanical Systems Engineering, Toyama Prefectural University) ,  Ishizuka Masaru (Dept. of Mechanical Systems Engineering, Toyama Prefectural University)
資料名： Transactions of the Japan Institute of Electronics Packaging (Web)  (Transactions of the Japan Institute of Electronics Packaging (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 55-61(J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0592A  ISSN： 1884-8028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電気-熱解析の計算結果へのエネルギー緩和時間の変化の影響について述べる。著者らの先の研究で,電気-熱解析を用いた電力Si MOSFET(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)の特性を調査した。先の研究では,エネルギー緩和時間τ_Eは,半導体デバイスの計算に一般的に使われている0.3psと仮定した。次に,この論文では,電力Si MOSFETのより正確な熱特性を調べるため,電気-熱解析におけるキャリアエネルギーの関数として,τ_Eの変化を考慮する。まず,関数を生成するため,モンテカルロシミュレーションによりτ_Eの変化を得る。次に著者らは,この関数を用いて電気-熱解析を実施する。計算結果を先の計算と比較し,電気-熱解析における計算結果へのτ_Eの変化の影響を調査する。この計算から,電気-熱解析でτ_Eの変動を考慮しても,影響はそれほど大きくはない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  シミュレーション ,  緩和現象 ,  *緩和時間 ,  計算機シミュレーション ,  *熱特性 ,  散乱 ,  ホットスポット ,  フォノン散乱 ,  モンテカルロシミュレーション ,  熱シミュレーション ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： エネルギー緩和 ,  *電力MOSFET ,  熱解析

著者キーワード (5件)： Power Si MOSFET ,  Electro-Thermal Analysis ,  Monte-Carlo Simulation ,  Energy Relaxation Time ,  Hot Spot

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (9件)：

• [1] R. Kibushi, T. Hatakeyama, S. Nakagawa, and M. Ishizuka, "Analysis of Heat Generation from a Power Si MOSFET," Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging, Vol. 6, No. 1, pp. 51-56, 2013.
• [2] R. Kibushi, T. Hatakeyama, S. Nakagawa, and M. Ishizuka, "Calculation of Temperature Distribution of Power Si MOSFET with Electro-Thermal Analysis: The Effect of Boundary Condition," Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging, Vol. 7, No. 1, pp. 52-57, 2014.
• [3] C. Jacoboni and L. Reggiani, "The Monte Carlo Method for the Solution of Charge Transport in Semiconductor with Applications to Covalent Materials," Reviews of Modern Physics, Vol. 55, pp. 645-705, 1983.
• [4] K. Tomizawa, "Numerical Simulation of Submicron Semiconductor Device," Artech House, 1993.
• [5] C. Yutian, M. Chinthavali, and L. M. Tolbert, "Temperature dependent Pspice model of silicon carbide power MOSFET," Proc. of APEC2012, pp. 1698-1704, 2012.

タイトルに関連する用語 (4件)： モンテカルロシミュレーション ,  Si ,  MOSFET ,  熱特性