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J-GLOBAL ID：201702230306361874   整理番号：17A1088329

原子層堆積法による酸化物系材料

Oxide-based Materials by Atomic Layer Deposition

著者 (10件)： GODLEWSKI Marek (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GODLEWSKI Marek (Cardinal S. Wyszynski Univ., Warsaw, POL) ,  PIETRUSZKA Rafal (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  KASZEWSKI Jaroslaw (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  WITKOWSKI Bartlomiej S. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GIERALTOWSKA Sylwia (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  WACHNICKI Lukasz (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GODLEWSKI Michal M. (Warsaw Univ. Life Sci., Warsaw, POL) ,  SLONSKA Anna (Warsaw Univ. Life Sci., Warsaw, POL) ,  GAJEWSKI Zdzislaw (Warsaw Univ. Life Sci., Warsaw, POL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10105  ページ： 101050L.1-101050L.9  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積法(ALD)で成長したワイドバンドギャップ酸化物の薄膜は,広い範囲の応用に適している。その応用の幾つかを紹介する。目的は,ALDの利用が有利となる分野を選択することである。第一に,ALDで成長した高誘電率HfO₂が,電子デバイスのゲート酸化膜として利用されている。さらに,ALDで成長した酸化物は,記憶素子や透明トランジスタにおいて,また太陽電池の要素として利用することができる。太陽光発電(PV)に関しては,ALDで成長したAl₂O₃薄膜が反射防止膜としてすでに利用されている。ZnO薄膜が,PV素子でのITOの代替えとして試験されている。有機太陽光発電,エレクトロニクス,光エレクトロニクスにおける新しい応用も示す。エレクトロニクスで利用されるのと同じ膜が,生物学,医学,食品工業において応用を見出すことができる。これは,高誘電率酸化膜が抗菌作用を有するためである。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  バンドギャップ ,  *酸化物 ,  *蒸着膜 ,  酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  ゲート絶縁膜 ,  酸化アルミニウム ,  反射防止膜 ,  抗細菌作用
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  ワイドバンドギャップ ,  ゲート酸化膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 原子層堆積法 ,  酸化物