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J-GLOBAL ID：201702230350477372   整理番号：17A0214254

高温イオン注入によるバルクSi FinFETのCMOS特性の改善【Powered by NICT】

Improvement of the CMOS characteristics of bulk Si FinFETs by high temperature ion implantation

著者 (18件)： Kikuchi Y. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Hopf T. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Mannaert G. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Tao Z. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Waite A. (Applied Materials, 35 Dory Rd, Gloucester, MA 01930 USA) ,  Cournoyer J. (Applied Materials, 35 Dory Rd, Gloucester, MA 01930 USA) ,  Borniquel J. (Applied Materials, Leuven, Belgium) ,  Schreutelkamp R. (Applied Materials, Leuven, Belgium) ,  Ritzenthaler R. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Kim M. S. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Kubicek S. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Chew S. A. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Devriendt K. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Schram T. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Demuynck S. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Variam N. (Applied Materials, 35 Dory Rd, Gloucester, MA 01930 USA) ,  Horiguchi N. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Mocuta D. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 17.5.1-17.5.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて,45nmフィンピッチ設計ルールにバルクSiフィン電界効果トランジスタの高温イオン注入のための置換金属ゲート相補型金属-酸化物-半導体プロセスフロー,高温スピン-オン-炭素ハードマスクと専用パターン形成プロセスを確立した。本論文では,高温イオン注入の利点と専用のパターン形成の詳細なプロセスフローについて解説した。金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタとリング発振器の電気的特性を評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： リング発振器 ,  酸化物 ,  *イオン注入 ,  *ケイ素 ,  半導体プロセス ,  パターン形成 ,  フィン ,  半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  *高温 ,  *CMOS
準シソーラス用語： ハードマスク ,  メタルゲート ,  設計規則 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  バルク ,  Si ,  FinFET ,  CMOS