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J-GLOBAL ID：201702230403536368   整理番号：17A0758092

その場チャネル温度推定によるパワーMOSFETのための熱等価回路の同定【Powered by NICT】

Identifications of thermal equivalent circuit for power MOSFETs through in-situ channel temperature estimation

著者 (4件)： Oishi Kazuki (Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Shintani Michihiro (Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Hiromoto Masayuki (Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Sato Takashi (Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 308-313  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱伝導特性の測定による電力MOSFETの熱等価回路を同定するための新しい方法論を提案した。熱は実際に発生するMOSFETのドレイン電流がチャネル温度を推定するために利用されている。二測定法,すなわち,定電圧(CV)法及び定出力(CP)法を提案した。これらの方法は,標的装置の入力パワーの波形で異なっていた。市販SiCパワーMOSFETを用いた実験では,二測定法から得られたインパルス応答とはよく一致した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱伝導 ,  炭化ケイ素 ,  *チャネル ,  *MOSFET ,  インパルス応答 ,  *等価回路 ,  電圧
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャネル ,  推定 ,  パワーMOSFET ,  等価回路 ,  同定