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J-GLOBAL ID:201702230417298831   整理番号:17A1501719

単層グラフェンにおける光励起キャリアの初期緩和段階に及ぼす基板の影響【Powered by NICT】

Substrate influence on the early relaxation stages of photoexcited carriers in monolayer graphene
著者 (4件):
資料名:
巻: 424  号: P1  ページ: 52-57  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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熱化と冷却の初期段階過程での単分子層グラフェンにおける光キャリア緩和動力学に及ぼす種々の基板の影響を調べた結果,集団モンテカルロシミュレーションにより解析した。添加では,グラフェンの間の界面に関連した固有および表面極性モードのフォノン動力学とその下の基板を調べた。ナノエレクトロニクスに用いられる最も一般的な基質の四に及ぼす懸濁グラフェンおよびグラフェンを研究し,1例に依存して,キャリア緩和は表面極性フォノンモードは,そのような非平衡状況下でとることを主な役割により,加速できることを示すであろう。考察した事例の中で,Al_2O_3上のグラフェンは最高の緩和速度を示したが,h-BN,SiO_2とSiC上のグラフェンの結果は非常に類似していた。その代わりに,懸垂したグラフェンにおける光キャリアは基板に担持された場合よりも熱中に長くかかる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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光化学一般  ,  光伝導,光起電力  ,  下水,廃水の化学的処理 

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