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J-GLOBAL ID：201702230533395846   整理番号：17A0594237

フォトキャパシタンスと時間分解フォトルミネッセンス測定で調べたCu(In,Ga)Se₂薄膜の深い準位欠陥に及ぼすSeビーム圧力の影響

Influence of Se beam pressure on deep-level defects in Cu(In,Ga)Se₂ thin films studied by photocapacitance and time-resolved photoluminescence measurements

著者 (5件)： HU Xiaobo (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  XUE Juanjuan (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  TIAN Jiao (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  WENG Guoen (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  CHEN Shaoqiang (East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Applied Optics  (Applied Optics)
巻： 56  号： 5  ページ： 1291-1295  発行年： 2017年02月10日 
JST資料番号： B0026B  ISSN： 1559-128X  CODEN： APOPAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *静電容量 ,  *欠陥準位 ,  光照射 ,  *光ルミネセンス ,  時間分解分光法 ,  *セレン化インジウム銅 ,  *半導体薄膜 ,  ガリウム化合物 ,  *深い準位 ,  セレン ,  原子ビーム ,  圧力効果
準シソーラス用語： *フォトキャパシタンス ,  *時間分解ホトルミネセンス

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： フォトキャパシタンス ,  時間分解フォトルミネッセンス ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  深い準位 ,  欠陥 ,  Se ,  ビーム