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J-GLOBAL ID:201702230601256287   整理番号:17A1501794

単発,パルス幅依存性超高速レーザアブレーションによって研究した非晶質Si膜における高密度電子-正孔プラズマにおける電子-イオン結合と両極性拡散【Powered by NICT】

Electron-ion coupling and ambipolar diffusion in dense electron-hole plasma in thin amorphous Si films studied by single-shot, pulse-width dependent ultrafast laser ablation
著者 (11件):
資料名:
巻: 425  ページ: 170-175  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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変数(0.2 6ps)幅のレーザパルスによる50-100と150nm厚さの非晶質シリコン膜の単一ショットアブレーションは0.6psパルス幅とそれに続く増加で最小値とアブレーションしきい値と特性アブレーション1/e半径の非単調変化を示した。より短いレーザパルスで増加したしきい値と強化された輸送は,0.6psでイオンサブシステム(電子-イオン熱化)へのエネルギー移動前高密度過渡的プラズマにおける高速両極性電子-正孔プラズマ拡散と他の電子エネルギー損失に関係する可能性があるが,長いレーザパルスについての適度な密度電子-正孔プラズマ,イオン熱伝導と他の熱損失の遅い両極性拡散が支配的である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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レーザ照射・損傷 
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