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J-GLOBAL ID：201702230658762052   整理番号：17A1764160

フォトン/ラジカルおよびイオン処理シーケンスの変化後のフォトレジストの表面粗面化

Surface roughening of photoresist after change of the photon/radical and ion treatment sequence

著者 (7件)： Zhang Yan (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Takeuchi Takuya (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Ishikawa Kenji (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Takeda Keigo (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Kondo Hiroki (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Sekine Makoto (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Hori Masaru (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 6  ページ： 060606-060606-6  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン照射中の表面粗さの形成は,HBrまたはH₂プラズマを用いたフォトレジストの光子/ラジカル前処理によって抑制された。イオン照射後の処理の反対の順序は表面粗さを増強した。前処理について同様の改変が観察されたため,後処理後の粗さの増加は膜厚の減少,Brラジカルの表面での反応,またはイオン照射によって生成された非晶質炭素様層の存在とは相関がなかった。フーリエ変換赤外分光分析により,HBrまたはH₂プラズマから放出される115から170nmの範囲の波長の真空紫外光を照射することによって,メタクリル酸およびメタクリレート基のC=O吸収に由来するピークの強度が減少した。C=O基の除去はおそらくダングリングボンドを生成し,フォトレジストポリマーの架橋反応を誘導した。粗面化されたフォトレジスト上の架橋反応の不均一性は,表面粗さを激しく増大させた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *イオン照射 ,  *表面粗さ ,  光子 ,  ラジカル ,  *前処理 ,  薄膜 ,  *ダングリングボンド ,  *架橋【高分子】
準シソーラス用語： フォトン ,  炭素薄膜 ,  *架橋反応

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  重合反応一般  (CG04010H)

タイトルに関連する用語 (6件)： フォトン ,  ラジカル ,  イオン ,  シーケンス ,  フォトレジスト ,  粗面