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J-GLOBAL ID：201702230667456545   整理番号：17A1824577

ゲートとチャネル設計二重ゲートMOSFETのサブしきい値スイングの解析モデル【Powered by NICT】

Analytical model of subthreshold swing of a gate and channel engineered double gate MOSFET

著者 (3件)： Mahmud Md. Arafat (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh) ,  Mahmud Md. Arafat (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, Australia) ,  Subrina Samia (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh)
資料名： International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields  (International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields)
巻： 30  号： 6  ページ： ROMBUNNO.2235  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0597A  ISSN： 0894-3370  CODEN： IJNFEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートとチャネル設計二重ゲートMOSFETのサブしきい値スイングとチャンネルコンダクタンスを研究するために二次元解析モデルを開発した。基礎拡散方程式を,サブしきい値スイングのようなデバイスパラメータのサブしきい値領域と発現の装置の電源電流にドレインをモデル化するために考慮し,チャネルコンダクタンスを導出した。各種材料,チャネル,および有効酸化層厚さとチャネル長を持つ素子のサブしきい値スイング変動も調べた。異なるドーピングプロファイル濃度のためにサブしきい値スイングの変化を調べた。素子のチャネルコンダクタンスに対する類似のデバイスパラメータの影響も調べた。研究のもう一つの重要な観察は,チャネルの異なる厚さでデバイスの体ポテンシャルの交差点に基づくデバイス構造の擬似フラットバンド条件である。提案したモデルの解析結果は,商業的に利用可能な2次元デバイスシミュレータからの数値結果で検証した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 素子構造 ,  *チャネル ,  酸化層 ,  二次元 ,  *MOSFET ,  *解析モデル ,  拡散方程式 ,  モデリング ,  電流
準シソーラス用語： デバイスシミュレータ ,  ドーピングプロファイル ,  チャネル長 ,  *サブ閾値 ,  *サブ閾値スイング ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： チャンネルコンダクタンス ,  ドーピングプロファイル ,  擬似フラットバンド条件 ,  サブしきい値スイング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  チャネル ,  設計 ,  二重ゲート ,  MOSFET ,  サブしきい値 ,  スイング ,  解析モデル