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J-GLOBAL ID：201702230692953219   整理番号：17A1023926

超短チャネルナノワイヤFETにおけるゲート誘起ドレインリークの性質への物理的洞察【Powered by NICT】

Physical Insights Into the Nature of Gate-Induced Drain Leakage in Ultrashort Channel Nanowire FETs

著者 (2件)： Sahay Shubham (Department of Electrical Engineering, IIT Delhi, New Delhi, India) ,  Kumar Mamidala Jagadesh (Department of Electrical Engineering, IIT Delhi, New Delhi, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 6  ページ： 2604-2610  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゲート誘起ドレイン漏れ(GIDL)の横方向バンド間トンネル成分はナノワイヤFET(NW FETs)のOFF状態(ゲート電圧=0.0V)における寄生バイポーラ接合トランジスタ(BJT)の形成をもたらすことを示した。GIDLの性質,すなわち,異なるNW FET配置のための負のゲート電圧(V_GS≦0V)にドレイン電流依存性の違いを詳細に論じた。寄生B JT作用はOFF状態で北西無接合蓄積モードFET(JAMFET)とNW MOSFETにおける重要であり,ゲート電圧が負になるに伴い減少することを示した。較正された3次元シミュレーションを用いて,NW FETへのスケーリングの影響を調べ,量子閉じ込め効果に起因する増強されたバンドギャップは5nm以下領域にNW FETのスケーリングを促進することを示した。添加では,北西JAMFETとNW MOSFETのオフ状態電流比(I_ON/I_OFF)にオン状態を増加させるために軽くドープしたドレイン拡張の使用を提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  量子閉込め ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  MOSFET ,  電流 ,  バイポーラトランジスタ
準シソーラス用語： オン状態 ,  三次元シミュレーション ,  蓄積モード ,  電流依存性 ,  ゲート電圧 ,  オフ状態 ,  *ナノワイヤトランジスタ ,  *短チャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 短チャネル ,  ナノワイヤFET ,  ゲート ,  誘起 ,  ドレイン ,  リーク ,  性質 ,  物理 ,  洞察