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J-GLOBAL ID：201702230902899773   整理番号：17A1104259

極低消費電力集積回路のための次世代デバイス向けエピタキシャル基板の研究開発

Trends in Development of Epitaxial Wafers for Emerging Devices Applied to Ultra-low Power-Consumption Integrated Circuits

著者 (2件)： 横山正史 (住友化学 情報電子化学品研) ,  山本武継 (住友化学 情報電子化学品研)
資料名： 住友化学
巻： 2017  ページ： 17-25  発行年： 2017年07月31日 
JST資料番号： F0315A  ISSN： 0387-1312  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： IOT時代を迎え,低消費電力プロセッサが益々求められている。本稿は,独立行政法人科学技術振興機構の戦略的創造研究推進事業「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成,極低消費電力集積回路のためのトンネルMOSFETテクノロジーの構築」プロジェクトの下に行った研究成果と共に,関連技術動向を紹介した。次の項目について述べた。1)極低消費電力デバイスとしてのトンネルトランジスタ,1.1)TFETによる低消費電力化,2)III-V族化合物半導体をチャンネル材料として利用したTFET,2.1)InGaAsTFETの開発,2.2)高In組成InGaAsチャンネル層の検討,2.3)高In組成InGaAs量子井戸構造チャンネルの検討,2.4)ゲート酸化膜のスケーリング(薄膜化)によるTFETのデバイス特性改善,2.5)ヘテロ接合を利用したTFET,3)III-V族化合物半導体のSiテクノロジーとの融合,3.1)III-V族化合物半導体の300mmSi基板上への集積化に向けての検討,3.2)極低消費電力化に向けた技術開発。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *消費電力 ,  省エネルギー ,  *化合物半導体 ,  第13族元素 ,  *窒素族元素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *トンネル効果 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  量子井戸 ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  薄膜 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： 金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ ,  *低消費電力 ,  III-V族化合物半導体 ,  *TFET ,  InGaAs

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (61件)：

• International Roadmap for Devices and Systems, “INTERNATIONAL ROADMAP FOR DEVICES AND SYSTEMS 2016 EDITION MORE MOORE WHITE PAPER”, http://irds.ieee.org/images/files/pdf/2016_MM.pdf (参照 2017/5/19).
• S. Takagi, R. Zhang, J. Suh, S.-H. Kim, M. Yokoyama, K. Nishi and M. Takenaka, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 06FA01 (2015).
• J. A. del Alamo, Nature, 479, 317 (2011).
• R. Pillarisetty, Nature, 479, 324 (2011).
• A. C. Seabaugh and Q. Zhang, Proc. IEEE, 98, 2095 (2010).

タイトルに関連する用語 (6件)： 低消費電力 ,  集積回路 ,  次世代 ,  エピタキシャル基板 ,  研究 ,  開発