文献

J-GLOBAL ID：201702230941340846   整理番号：17A1646262

3次元CMOSイメージセンサのための垂直薄膜ポリSiチャネル転送ゲート構造画素のエピタキシャル成長と拡散特性解析【Powered by NICT】

Epitaxial growth and diffusion characteristics analysis of vertical thin poly-Si channel transfer gate structured pixels for 3D CMOS image sensor

著者 (11件)： Park Sung-Kun (SK hynix, CIS Development Group, Pixel Development Team, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Woo Donghyun (SK hynix, CIS Development Group, Pixel Development Team, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Na Min-Ki (SK hynix, CIS Development Group, Pixel Development Team, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Kwag Pyong-Su (SK hynix, CIS Development Group, Pixel Development Team, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Lee Ho-Ryeong (SK hynix, CIS Development Group, Pixel Development Team, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Ro Kyoung-Wook (SK hynix, CIS Development Group, Process Development Team, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Kim Kyung-Hwan (SK hynix, CIS Development Group, Process Development Team, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Lee Dong-Kyu (SK hynix, CIS Development Group, AT Group, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Hong Chris (SK hynix, CIS Development Group, Pixel Development Team, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Cho In-Wook (SK hynix, CIS Development Group, Pixel Development Team, 2091 Gyeongchung-daero, Bubal-eub, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Korea) ,  Yoo Kyung-Dong (Hanyang University, 04763, Wangsimni Road, Seongdong-gu, Seoul, 222, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 220-223  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直薄膜ポリSiチャネル(VTPC)移動ゲート(TG)構造化画素の作製中のエピタキシャルSi成長とドーパントの拡散特性,今後の三次元(3D)CMOSイメージセンサ(CIS)の可能な候補を報告した。高分解能センサのための需要が増加しているため,主要なCIS企業はそれ自身の設計の種々の革新的な3Dピクセル構造を提案した。最近,3D NANDフラッシュメモリのそれに類似した構造概念を採用することにより,VTPC TG構造画素が報告されている。しかし,ポリSiの粒界制御とドーパントの拡散挙動は同定されていない。提案したプロセス統合は,低温固相エピタキシャル成長によるVTPC TG構造画素におけるポリSiの結晶粒に起因する暗電流を抑制することができる。添加では,ポリSiの高速ドーパント拡散によるチャネルパンチスルーは薄いポリSiチャネル構造とプロセス最適化により抑制される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *三次元 ,  *薄膜 ,  *ケイ素 ,  *エピタクシー ,  低温 ,  *センサ ,  *性能分析 ,  *ポリシリコン ,  *チャネル ,  暗電流 ,  結晶粒界 ,  *画素 ,  高分解能 ,  ドーパント
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (12件)： 3次元 ,  CMOSイメージセンサ ,  垂直 ,  薄膜 ,  ポリSi ,  チャネル ,  転送 ,  ゲート ,  画素 ,  エピタキシャル成長 ,  拡散 ,  特性解析