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J-GLOBAL ID：201702230962655164   整理番号：17A0830151

nanodashesを用いたGaNにおける転位低減のための強化された横方向成長の設計と製作【Powered by NICT】

Design and fabrication of enhanced lateral growth for dislocation reduction in GaN using nanodashes

著者 (10件)： Le Boulbar E.D. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, BA2 7AY, UK) ,  Priesol J. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkovicova 3, 81219 Bratislava, Slovakia) ,  Nouf-Allehiani M. (Department of Physics, SUPA, Strathclyde University, Glasgow, G4 0NG, UK) ,  Naresh-Kumar G. (Department of Physics, SUPA, Strathclyde University, Glasgow, G4 0NG, UK) ,  Fox S. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, BA2 7AY, UK) ,  Trager-Cowan C. (Department of Physics, SUPA, Strathclyde University, Glasgow, G4 0NG, UK) ,  Satka A. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkovicova 3, 81219 Bratislava, Slovakia) ,  Satka A. (International Laser Centre, Ilkovicova 3, 84104 Bratislava, Slovakia) ,  Allsopp D.W.E. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, BA2 7AY, UK) ,  Shields P.A. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, BA2 7AY, UK)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 466  ページ： 30-38  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体窒化ガリウムはエネルギー効率の良い固体照明の中心で材料であり,高出力と高周波数エレクトロニクスにおいてますます重要になってきている。窒化ガリウム平面層の転位密度の低減デバイスの性能と信頼性を改良するのに重要である,発光ダイオードと高電子移動度トランジスタのような。選択成長マスクのパターン形成は,能動素子層への貫通転位の伝搬を制御するために,三次元成長モードを強制のための一技術である。三次元成長フロントの形態が形成されることを異なるファセットの相対的成長速度により決定されると,GaNの遅い{1 101}ファセットによって制限される。nanodash成長窓の導入は成長連続GaN層への三次元構造の合体を加速するための初期段階で急速に{11 22}ファセットを保存するためのアレイにおける配向させることができるかを示した。貫通転位密度を測定するために用い,カソードルミネセンスおよび電子チャンネリングコントラストイメージング法は,転位が組織化されており,基本的なマスクによる特徴的なパターンを形成することを明らかにした。nanodashesとnanodash密度の配置を最適化することにより,サファイアエピ層上のGaNの貫通転位密度は,10~9cm~ 2から3.0×10~7cm~ 2まで著しく減らされることができる。被覆成長させたGaNエピ層中の歪をモニターするために使用し,Raman分光法は,ダッシュ密度を,ペンデオエピタクシーによって成長させた試料の増大に伴ってGaN E_2~Hフォノンモードのピーク位置は減少したより一般的なエピタキシャル横方向被覆成長により成長させた試料に対して記録されなかった明らかな変化がことを示した。これらの結果は,成長マスク設計は成長動力学により課せられた限界を回避するためにどのように利用できるかを示した。さらに,達成されたより低い転位密度の結果として電子および光電子デバイスを高い頻度に導くであろう転位密度に及ぼす成長過程の影響のより深い理解を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 陰極線ルミネセンス ,  発光ダイオード ,  エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  形態 ,  貫通転位 ,  転位密度 ,  最適化 ,  ファセット ,  三次元 ,  信頼性 ,  半導体 ,  サファイア ,  成長速度 ,  パターン形成

著者キーワード (6件)： A1欠陥 ,  A3有機金属化学気相エピタクシー ,  A3pendeoエピタクシー ,  A3選択的エピタクシー ,  B1窒化物 ,  B2半導性III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  転位 ,  強化 ,  横方向成長 ,  設計 ,  製作