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J-GLOBAL ID：201702230967525750   整理番号：17A0662440

MoS_2可飽和吸収体を用いた高ピークパワー受動Qスイッチ2μmレーザ【Powered by NICT】

High-Peak Power Passively Q-Switched 2-μm Laser With MoS₂ Saturable Absorber

著者 (13件)： Luan Chao (School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China) ,  Zhang Xiaoyan (Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Yang Kejian (State Key laboratory of Crystal Material, Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, and School of Information Science and Engineering and Shandong University, Jinan, China) ,  Zhao Jia (School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China) ,  Zhao Shengzhi (School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China) ,  Li Tao (School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China) ,  Qiao Wenchao (School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China) ,  Chu Hongwei (School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China) ,  Qiao Junpeng (School of Information Science and Engineering and Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Technology and Application, Shandong University, Jinan, China) ,  Wang Jun (Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Zheng Lihe (Key Laboratory of Transparent and Opto-functional Inorganic Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Xu Xiaodong (Jiangsu Key Laboratory of Advanced Laser Materials and Devices, School of Physics and Electronic Engineering, Jiangsu Normal University, Xuzhou, China) ,  Xu Jun (Institute for Advanced Study, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai, China)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 1  ページ： ROMBUNNO.1600105.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2可飽和吸収体(SA)に基づく2μmでのダイオード励起Tm,Ho:YAPレーザの受動的Qスイッチング特性を初めて提示した。約55kHzの繰返し速度でns,435の短いパルスは8.4Wの入射ポンプパワーで発生した11.3Wまでのパルスピークパワーに対応した。これは,著者らの知る限り,最高パルスピークパワー,MoS_2基づく受動Qスイッチの2μmのレーザから得られる。実験結果を固相2μmレーザのためのSAとしてMoS_2の実現可能性を検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ダイオード ,  パルス ,  *可飽和吸収体 ,  励起 ,  固相 ,  *レーザ ,  Qスイッチング
準シソーラス用語： 繰返し速度 ,  *受動Qスイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体レーザ  (BD04080W) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 可飽和吸収体 ,  パワー ,  受動Qスイッチ ,  レーザ