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J-GLOBAL ID：201702231085080695   整理番号：17A0527251

異種三次元集積回路用サブミクロン直径スルーシリコンビアの製作と電気特性

Fabrication and electrical characterization of sub-micron diameter through-silicon via for heterogeneous three-dimensional integrated circuits

著者 (3件)： ABBASPOUR R (Georgia Inst. of Technol., GA, USA) ,  BROWN D K (Georgia Inst. of Technol., GA, USA) ,  BAKIR M S (Georgia Inst. of Technol., GA, USA)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 27  号： 2  ページ： 025011,1-8  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,微粒子3D集積回路の良好な接続(例えば低寄生容量)可能なサブミクロンスルーシリコンビア(TSV)に有用な製作プロセスについて述べた。提案したサブミクロンTSV技術によって垂直に積層した薄いシリコン層を用いた異種3DICが可能になる。このTSVは,680nmのCuコアを持ち直径が約900nm,深さが15μmである。スキャロップがない滑らかなナノBoschシリコンエッチングおよびTiN拡散障壁層上への直接Cu電気メッキを考案した。試験結果では,TSVの電気抵抗は平均1.2Ω,Cu抵抗率は約2.95μΩcm,最大許容電流容量は約360μAであった。

シソーラス用語： *集積回路 ,  材料 ,  サブミクロン加工 ,  *バイアホール ,  ボンディング【IC】 ,  相互接続 ,  漂遊容量 ,  電流容量 ,  拡散障壁
準シソーラス用語： *三次元集積回路 ,  異種材料 ,  *スルーシリコンビア

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 三次元集積回路 ,  サブ ,  直径 ,  スルーシリコンビア ,  製作 ,  電気特性