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J-GLOBAL ID：201702231347134756   整理番号：17A1181669

3Dモノリシック集積化により作製したSiGe OI FinFET上のInGaAs置換金属ゲート(RMG)FETのDCおよびRF特性化【Powered by NICT】

DC and RF characterization of InGaAs replacement metal gate (RMG) nFETs on SiGe-OI FinFETs fabricated by 3D monolithic integration

著者 (9件)： Deshpande V. (IBM Zurich Research Laboratory, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Djara V. (IBM Zurich Research Laboratory, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  O’Connor E. (IBM Zurich Research Laboratory, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Hashemi P. (IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Route 134, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Balakrishnan K. (IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Route 134, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Caimi D. (IBM Zurich Research Laboratory, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Sousa M. (IBM Zurich Research Laboratory, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Czornomaz L. (IBM Zurich Research Laboratory, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Fompeyrine J. (IBM Zurich Research Laboratory, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 128  ページ： 87-91  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3Dモノリシック(3DM)CMOSプロセスで構築された短チャネル置換金属ゲート(RMG)InGaAs-OI nFETの最初のRF特性化を報告した。このプロセスはRMG InGaAs-OI nFETトップ層とSiGe OIフィンpFET底層を特徴としている。レベルの両方で,最新のデバイス集積を実証した。底層SiGe OI pFETはフィンを有するゲートファースト(GF)プロセスを用いて作製し,エピタキシャル隆起ソース/ドレイン(RSD)シリサイド接触層を特徴とした。トップ層InGaAs nFET自己整合エピタキシャル隆起ソース/ドレイン(RSD)を特徴とするRMGプロセスを用いて作製した。3Dモノリシック集積方式は,トップInGaAs nFETのための最適化した熱収支のために底SiGe OI pFETの性能を劣化させないことを示した。マルチフィンガーゲートInGaAs-OI nFETについて行い,(後3Dモノリシックプロセス)RF特性化から,120nmのゲート長(L g)で16.4GHzのカットオフ周波数(Ft)を抽出した。種々のゲート長の測定はゲート長の減少と共に増加するカットオフ周波数を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フィン ,  最適化 ,  *三次元 ,  エピタクシー ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ケイ化物 ,  自己整合 ,  *キャラクタリゼーション ,  遮断周波数
準シソーラス用語： ゲート長 ,  CMOSプロセス ,  *メタルゲート ,  *FinFET ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 3Dモノリシック ,  InGaAs ,  RMG ,  高周波 ,  FinFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (12件)： 3D ,  モノリシック集積化 ,  作製 ,  SiGe ,  FinFET ,  InGaAs ,  置換 ,  金属ゲート ,  FET ,  DC ,  RF ,  特性化