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J-GLOBAL ID：201702231403065214   整理番号：17A1562294

ペンタセンに基づくトランジスタの電気的性能を向上させるための二層ゲート絶縁体の使用【Powered by NICT】

Use of bilayer gate insulator to increase the electrical performance of pentacene based transistor

著者 (2件)： Ruzgar Serif (Department of Physics, Faculty of Art and Science, Batman University, Batman, Turkey) ,  Caglar Mujdat (Department of Physics, Faculty of Science, Anadolu University, Eskisehir 26470, Turkey)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 232  ページ： 46-51  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,陽極酸化アルミニウム酸化物(Al_2O_3)二層ゲート誘電体上の種々のスピンコート超薄有機誘電体を用いたボトムゲートトップコンタクトペンタセンベースの有機電界効果トランジスタ(OFET)を作製した。OFET性能に及ぼす異なる組合せを持つ二層ゲート絶縁体の影響を調べた。ポリスチレン(PS),ポリ4-メチルスチレン(P4MS),ポリ 4 ビニルフェノール(PVP),ポリメタクリル酸メチル(PMMA)とポリ(4-ビニルフェノール-co-メチルメタクリル酸)(PVP_co_PMMA)は有機誘電体として用いた。結果はポリ(4 ビニルフェノール)とAl_2O_3ゲート誘電体は3.8Vと0.65cm~/Vs,10~6のオン/オフ電流比としきい値電圧の大きさのキャリア移動度をもつ最適な電気的性能を示すことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ゲート絶縁膜 ,  誘電体 ,  キャリア移動度 ,  アノード酸化 ,  *トランジスタ ,  酸化アルミニウム ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  オフ電流 ,  有機FET ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ペンタセン ,  OFET ,  二層ゲート絶縁体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (4件)： ペンタセン ,  トランジスタ ,  二層 ,  ゲート絶縁体