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J-GLOBAL ID：201702231451498014   整理番号：17A1810674

原子層堆積したSiO₂およびHfSiO₄と(<span style=text-decoration:overline>2</span>01)β-Ga₂O₃とのバンドアラインメント

Band alignment of atomic layer deposited SiO₂ and HfSiO₄ with (<span style=text-decoration:overline>2</span>01) β-Ga₂O₃

著者 (8件)： CAREY Patrick H., IV (Univ. Florida, FL, USA) ,  REN Fan (Univ. Florida, FL, USA) ,  HAYS David C. (Univ. Florida, FL, USA) ,  GILA Brent P. (Univ. Florida, FL, USA) ,  PEARTON Stephen J. (Univ. Florida, FL, USA) ,  JANG Soohwan (Dankook Univ., Gyeonggi, KOR) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  KURAMATA Akito (Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 7  ページ： 071101.1-071101.5  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線光電子分光法を用いて,SiO2/β-Ga₂O₃および HfSiO₄/β-Ga₂O₃ヘテロ界面の荷電子帯のバンドオフセットを測定した。両方の誘電体は,原子層堆積(ALD)により,単結晶β-Ga₂O₃上に堆積された。材料のバンドギャップは反射電子エネルギー損失分光法によって決定され,β-Ga₂O₃,Al₂O₃については8.7eV,HfSiO₄については7.0eVであった。価電子帯のオフセットは,β-Ga₂O₃上のALD SiO₂の場合は1.23+0.20eV(跨ぎギャップ,タイプIのアライメント),そして,HfSiO₄の場合は 0.02+0.003eV(同じくタイプIのアライメント)であった。それぞれの伝導帯のオフセットは,それぞれ,ALD SiO₂の場合2.87+ 0.70eV,HfSiO₄の場合2.38+0.50eVであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *二酸化ケイ素 ,  *ケイ酸塩 ,  *酸化ガリウム ,  *アラインメント ,  X線光電子分光法 ,  界面
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  *ケイ酸ハフニウム ,  *バンドアライメント ,  ヘテロ界面

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

引用文献 (36件)：

• A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, and S. Yamakoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202A2 (2016).
• Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Naumann, M. Pietsch, A. Kwasniewski, R. Bertram, S. Ganschow, and M. Bickermann, ECS J. Solid State Sci. Technol. 6, Q3007 (2017).
• M. Baldini, M. Albrecht, A. Fiedler, K. Irmscher, R. Schewski, and G. Wagner, ECS J. Solid State Sci. Technol. 6, Q3040 (2017).
• M. Higashiwaki, K. Sasaki, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakosh, Semicond. Sci. Technol. 31, 034001 (2016).
• S. Oh, J. Kim, F. Ren, S. J. Pearton, and J. Kim, J. Mater. Chem. C 4, 9245 (2016).

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層堆積 ,  SiO2 ,  β-Ga2O3 ,  バンドアラインメント