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J-GLOBAL ID：201702231725057445   整理番号：17A0374456

圧電応答力顕微鏡(PFM)法により研究した銅ドープ酸化亜鉛(ZnO:Cu)薄膜における偏光回転【Powered by NICT】

Polarization rotation in copper doped zinc oxide (ZnO:Cu) thin films studied by Piezoresponse Force Microscopy (PFM) techniques

著者 (4件)： Xiao Juanxiu (Department of Mechanical Engineering, National University of Singapore, 9, Engineering Drive 1, 117576, Singapore) ,  Herng Tun Seng (Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore, 9, Engineering Drive 1, 117576, Singapore) ,  Ding Jun (Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore, 9, Engineering Drive 1, 117576, Singapore) ,  Zeng Kaiyang (Department of Mechanical Engineering, National University of Singapore, 9, Engineering Drive 1, 117576, Singapore)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 123  ページ： 394-403  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,印加電場下での銅ドープZnO(ZnO:Cu)膜,すなわち分極はその角度を変化させる~180°という現象,約180°の偏光回転を圧電応答力顕微鏡(PFM)に基づく技術を用いて特性化した。最初に,バンド励起PFM(BE PFM)測定は,銅濃度が高い(8%以上),ZnO:Cu試料の分極は上向き方向を好むことを示した。第二に,圧電応答特性は銅濃度の増加に伴って増加することが分かった。第三に,における分光法モード(PFS)PFMを行うことにより,異常なヒステリシスループは,特定の場所で起こり,バイアス窓を増加させることにより対称性に調整できることを明らかにした。,DCポーリング過程中のビルトイン電場は膜中の酸素空格子点が寄与しているが分かった。空気中及び真空中でアニールした成長したままの試料と試料からのPFSの結果は,酸素空格子点が偏光回転に重要な役割を果たしていることを確認した。最後に,スイッチング分光PFM(SS PFM)法を用いて,局所偏光回転は銅濃度により仲介されることを確認した。,正と負の抗バイアス,VpとVn,抗バイアス,Ec,最大および残留スイッチ可能な応答,Rsと0を含む,PFS測定から決定したパラメータは,全銅濃度とともに増加した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  対称性 ,  電場 ,  ポーリング ,  *銅 ,  スイッチ ,  *酸化亜鉛 ,  バイアス
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  内部電場 ,  ヒステリシスループ ,  *圧電応答 ,  印加電圧 ,  *偏光回転 ,  *圧電応答力顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO:Cu薄膜 ,  圧電応答力顕微鏡 ,  偏光回転 ,  銅濃度 ,  酸素空格子点

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (11件)： 圧電応答力顕微鏡 ,  PFM ,  法 ,  研究 ,  銅 ,  ドープ ,  酸化亜鉛 ,  ZnO ,  Cu ,  薄膜 ,  偏光回転