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J-GLOBAL ID：201702231752992900   整理番号：17A0389290

電着CuInSe_2半導体前駆体のレーザアニーリング:実験とモデル化【Powered by NICT】

Laser annealing of electrodeposited CuInSe₂ semiconductor precursors: experiment and modeling

著者 (9件)： Meadows H. J. (Physics and Materials Science Research Unit, University of Luxembourg, 41 rue du Brill, Belvaux, Luxembourg. [e-mail]) ,  Misra S. ,  Simonds B. J. ,  Kurihara M. ,  Schuler T. ,  Reis-Adonis V. ,  Bhatia A. ,  Scarpulla M. A. ,  Dale P. J.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 6  ページ： 1336-1345  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザアニーリングは単一の二時間スケールへの薄膜太陽電池における使用のためのCu(In,Ga)(S,Se)2(CIGSe)薄膜を形成するのに必要なアニーリング時間を短縮できる,より速い。本研究では,CIGSe親化合物CuInSe_2三種類の電着前駆体スタックのレーザアニーリングを理解するために光学的および熱的性質のモデリングと結合したミクロ組織キャラクタリゼーションを用いた。前駆体膜は,積層元素層Cu/In/Se積層二元セレン化物In_2Se_3/Cu_2xSe,coelectrodeposited Cu-In-Seの単層。概念的には,これらのスタックは,貯蔵化学的および界面ポテンシャル自由エネルギーを考慮することにより,積層元素層からの大結晶粒CuInSe_2の生成が最も発熱,最も迅速なプロセスであることを予測しての減少の観点から整理した。しかし,積層二元セレン化物中に存在するボイド率のような電着膜の微細構造の詳細は熱及び質量流れを劇的に変化させることを見出した。,元素積層前駆体内の光吸収のモデル化は,In/Se界面有意なSe損失をもたらすで非常に局所加熱を示唆した。その低い化学ポテンシャルエネルギーにもかかわらず,coelectrodeposited CuInSe_2前駆体は相互拡散による最適再結晶と組成均質化におけるナノサイズ結晶粒結果のコンパクト,低ボイド率微細構造と結合した近バンドギャップ光のより均一な光吸収。さらにこのアニールした層は23mA cm~ 2の短回路電流密度の作動装置を形成した。組合せモデルと実験研究によれば,化合物半導体のための加速された二段階堆積とアニーリングプロセスを設計する場合に実用的なミクロおよびナノ構造依存特性と同様に光吸収と単純熱力学を考慮する必要性を強調した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデリング ,  化合物半導体 ,  空隙率 ,  電流密度 ,  *セレン ,  ナノ構造 ,  アクチュエータ ,  光吸収 ,  *レーザアニーリング ,  結晶粒 ,  *焼なまし ,  *電着 ,  バンドギャップ ,  界面
準シソーラス用語： 積層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電着 ,  前駆体 ,  レーザアニーリング ,  実験 ,  モデル化