文献

J-GLOBAL ID：201702231758173758   整理番号：17A0633034

ナノスケール金属/半導体接触に由来するSi/SiGeからの近赤外光ルミネセンスにおよぼすAuの静電効果

Electrostatic effect of Au nanoparticles on near-infrared photoluminescence from Si/SiGe due to nanoscale metal/semiconductor contact

著者 (12件)： YIN Yefei (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YIN Yefei (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN) ,  WANG Ze (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  WANG Ze (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN) ,  WANG Shuguang (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  WANG Shuguang (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN) ,  BAI Yujie (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  BAI Yujie (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN) ,  JIANG Zuimin (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  JIANG Zuimin (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN) ,  ZHONG Zhenyang (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHONG Zhenyang (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 15  ページ： 155203,1-7  発行年： 2017年04月18日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si/SiGeヘテロ構造からの光ルミネセンスにおよぼすAuナノ粒子の効果を系統的に調べた。Auナノ粒子とSiGeを分離する厚いSiスペーサー層の条件で,Siによる光ルミネセンスの増大と,SiGeによる光ルミネセンスの消光が観測された。これらの増大と消光は,Auナノ粒子のサイズと励起パワーに依存した。薄いSiスペーサー層の場合,SiとSiGeによる光ルミネセンスが増大した。この光ルミネセンス特性は,ナノ金属/半導体Schottky接合を介してSiから自然帯電したAuナノ粒子の静電効果により説明できる。Auナノ粒子/半導体Schottky界面のナノスケール域で,Auナノ粒子がエネルギー帯構造,キャリアの分布と遷移を含む物質の特性を変調する可能性を示唆した。

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *近赤外線 ,  素子構造 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  半導体薄膜 ,  *金 ,  *ナノ粒子 ,  *半導体金属接合 ,  力
準シソーラス用語： *Schottky接合 ,  ヘテロ構造 ,  静電気力

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  Si ,  SiGe ,  近赤外光 ,  ルミネセンス ,  Au