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J-GLOBAL ID：201702231799061542   整理番号：17A1036200

SiC MOSFETの信頼性と品質試験【Powered by NICT】

SiC MOSFET reliability and implications for qualification testing

著者 (3件)： Lelis Aivars J. (Power Conditioning Branch, U.S. Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA) ,  Green Ronald (Power Conditioning Branch, U.S. Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA) ,  Habersat Daniel B. (Power Conditioning Branch, U.S. Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： 2A-4.1-2A-4.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーMOSFETに関連した潜在的な信頼性問題の数は,しきい値電圧安定性,ゲート酸化膜信頼性,ボディダイオードのロバスト性,短絡電流ロバスト性,放射効果を含む。本研究は明確に悪いものと良好なデバイスを分離するしきい値電圧安定性と改良された試験方法の必要性に焦点を当てた。しきい値電圧安定性は,絶縁ゲート酸化膜の界面近傍領域中の活性電荷トラップによって主に影響される。ゲートバイアスの変化に応答して半導体界面への近接は直接トンネリング機構の強い時間依存性をもたらした。ストレス後測定を行った前時間依存性は高温ゲートバイアス(HTGB)効果,冷却と有意な不偏遅延(最大96時間)中のバイアスの一時的な除去を可能にすることを評価するための既存の試験方法によって,適切に説明されていない。しかし,この遅延,工業試験の実用的な制約に対応するために導入し,この試験は界面近傍酸化物トラップの電荷状態で生じる顕著な回復のために実際に無意味にする。難しさは測定前の時間の短期間のゲートバイアスの再適用によって克服することができる。界面近傍酸化物トラップの性質の詳細を議論し,それらの活性化エネルギーを含むであろう。すべての本研究では,JEDEC内標準品の開発,新しいSiCパワーデバイス認定ワーキンググループの文脈の中で提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 時間依存性 ,  *品質検査 ,  酸化物 ,  ロバスト性 ,  *炭化ケイ素 ,  界面 ,  *MOSFET ,  バイアス ,  活性化エネルギー ,  *信頼性
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  電荷捕獲 ,  試験方法 ,  ゲート酸化膜 ,  電圧安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  MOSFET ,  品質試験